Large-Area 6.5 kV Fast Recovery Diode with Cathode Shorts for Very High Current Handling Capability

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F13%3A00205455" target="_blank" >RIV/68407700:21230/13:00205455 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Large-Area 6.5 kV Fast Recovery Diode with Cathode Shorts for Very High Current Handling Capability

Popis výsledku v původním jazyce

Large-area silicon P-i-N diodes (VRRM = 6.5 kV, IFAV = 1.5 - 2 kA, A > 53 cm2) for the applica-tions employing high power IGCTs were produced with cathode shorts. The aim is to con-serve the softness under reverse recovery, while using thinner silicon for a better technology curve between the static and dynamic losses compared to existing designs. Since the new design can reduce around 10% of the original device thickness while achieving the same softness, fast recovery diodes with increased power handling capability can be achieved for the demanding applications with 4 kV DC link. With a properly optimized design of the cath-ode shorts, one can improve the technology curve even for the same silicon thickness. The potential way for the loss minimisation is presented.

Název v anglickém jazyce

Large-Area 6.5 kV Fast Recovery Diode with Cathode Shorts for Very High Current Handling Capability

Popis výsledku anglicky

Large-area silicon P-i-N diodes (VRRM = 6.5 kV, IFAV = 1.5 - 2 kA, A > 53 cm2) for the applica-tions employing high power IGCTs were produced with cathode shorts. The aim is to con-serve the softness under reverse recovery, while using thinner silicon for a better technology curve between the static and dynamic losses compared to existing designs. Since the new design can reduce around 10% of the original device thickness while achieving the same softness, fast recovery diodes with increased power handling capability can be achieved for the demanding applications with 4 kV DC link. With a properly optimized design of the cath-ode shorts, one can improve the technology curve even for the same silicon thickness. The potential way for the loss minimisation is presented.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings PCIM Europe 2013

ISBN

978-3-8007-3505-1

ISSN

2191-3358

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

607-612

Název nakladatele

VDE VERLAG GMBH Berlin

Místo vydání

Berlin

Místo konání akce

Nuremberg

Datum konání akce

14. 5. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—