Cathode Short Technology for High-Voltage Large Area Fast Recovery Silicon Diodes: The Impact of Operating Temperature

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00219673" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00219673 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Cathode Short Technology for High-Voltage Large Area Fast Recovery Silicon Diodes: The Impact of Operating Temperature

Popis výsledku v původním jazyce

Large area 4.5 and 6.5 kV fast recovery diodes with cathode shorts for improved softness under reverse recovery are studied in the circuits with IGCTs at T = 20 140 °C. A different temperature behavior of the softness of the two diode concepts is shown.For an equivalent diode thickness, the shorted FRDs are always softer than the classical ones in the whole temperature range. For the next generation diode technology with an improved technology curves the thinner diodes are needed with equivalent softness. Reduced softness of the shorted diodes at lower temperatures represents a serious obstacle in achieving this goal when circuits with stray inductance >200 nH are used. Exclusion of any irradiation from the shorted area is shown to help with removal of this this obstacle.

Název v anglickém jazyce

Cathode Short Technology for High-Voltage Large Area Fast Recovery Silicon Diodes: The Impact of Operating Temperature

Popis výsledku anglicky

Large area 4.5 and 6.5 kV fast recovery diodes with cathode shorts for improved softness under reverse recovery are studied in the circuits with IGCTs at T = 20 140 °C. A different temperature behavior of the softness of the two diode concepts is shown.For an equivalent diode thickness, the shorted FRDs are always softer than the classical ones in the whole temperature range. For the next generation diode technology with an improved technology curves the thinner diodes are needed with equivalent softness. Reduced softness of the shorted diodes at lower temperatures represents a serious obstacle in achieving this goal when circuits with stray inductance >200 nH are used. Exclusion of any irradiation from the shorted area is shown to help with removal of this this obstacle.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISPS'14 Proceedings

ISBN

978-80-01-05555-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

23-27

Název nakladatele

ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

27. 8. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—