Fast Recovery High-Power P-i-N Diode with Heavily Shorted Cathode for Enhanced Ruggedness in the Circuits with IGCTs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00301898" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00301898 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://80.ieeexplore.ieee.org.dialog.cvut.cz/document/7520838/" target="_blank" >http://80.ieeexplore.ieee.org.dialog.cvut.cz/document/7520838/</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISPSD.2016.7520838" target="_blank" >10.1109/ISPSD.2016.7520838</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Fast Recovery High-Power P-i-N Diode with Heavily Shorted Cathode for Enhanced Ruggedness in the Circuits with IGCTs

Popis výsledku v původním jazyce

We experimentally demonstrate that soft recovery of large area 4.5 kV Fast Recovery Diode (FRD) processed at thinner silicon can be achieved down to low temperature, if more than 50% cathode area is covered by shorts. The heavily shorted diode outperforms the classical one in the softness at DC link voltages well above the standard VDC = 2.8 kV even with wafer thickness reduced by 15%. Parameter optimization results in the device with improved technology curve at T = 25 °C, comparable technology curve at T = 140 °C and unbeatable softness up to VDC = 3.6 kV. Excellent switching ruggedness is shown for the worst case of high electron irradiation dose (the lowest Erec), T = 25 °C and stray inductance of LS= 600 nH.

Název v anglickém jazyce

Fast Recovery High-Power P-i-N Diode with Heavily Shorted Cathode for Enhanced Ruggedness in the Circuits with IGCTs

Popis výsledku anglicky

We experimentally demonstrate that soft recovery of large area 4.5 kV Fast Recovery Diode (FRD) processed at thinner silicon can be achieved down to low temperature, if more than 50% cathode area is covered by shorts. The heavily shorted diode outperforms the classical one in the softness at DC link voltages well above the standard VDC = 2.8 kV even with wafer thickness reduced by 15%. Parameter optimization results in the device with improved technology curve at T = 25 °C, comparable technology curve at T = 140 °C and unbeatable softness up to VDC = 3.6 kV. Excellent switching ruggedness is shown for the worst case of high electron irradiation dose (the lowest Erec), T = 25 °C and stray inductance of LS= 600 nH.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

ISBN

978-1-4673-8770-5

ISSN

1946-0201

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

303-306

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Piscataway, NJ

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

12. 6. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000392269000075