Characterization and simulation of neutron irradiated JBS silicon carbide diode structures
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00217965" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00217965 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.151" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.151</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.151" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.605.151</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization and simulation of neutron irradiated JBS silicon carbide diode structures
Popis výsledku v původním jazyce
This paper deals with an effect of radiation damage produced by fast neutrons on characteristics of JBS diodes produced on 4H-SiC, dynamic characterization methode for I-V measurement and SPICE model of neutron irradiated JBS diode.
Název v anglickém jazyce
Characterization and simulation of neutron irradiated JBS silicon carbide diode structures
Popis výsledku anglicky
This paper deals with an effect of radiation damage produced by fast neutrons on characteristics of JBS diodes produced on 4H-SiC, dynamic characterization methode for I-V measurement and SPICE model of neutron irradiated JBS diode.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IC-MAST - 3rd International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers
ISBN
9783038350514
ISSN
1013-9826
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
151-154
Název nakladatele
Transtech Publications
Místo vydání
Zürich
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
13. 9. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
000348035600038