Lumped RF Model of MOSFET Gate Resistance for GHz+ Frequencies Enhancement of Compact BSIM MOSFET Model

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00236413" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00236413 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.15224/978-1-63248-077-4-22" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.15224/978-1-63248-077-4-22</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.15224/978-1-63248-077-4-22" target="_blank" >10.15224/978-1-63248-077-4-22</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Lumped RF Model of MOSFET Gate Resistance for GHz+ Frequencies Enhancement of Compact BSIM MOSFET Model

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents a lumped RF model of high voltage FET applicable for the frequency up to GHz range. Unlike the compact MOSFET model, the proposed solution contains not only parasitic capacitances and resistances but also parasitic inductance. The signal delay caused by relatively large device area including the parasitic resonance modeled by distributed RLC network is considered. The model is applicable in commercial SPICE simulators, e.g. Eldo, Spectre or HSpice.

Název v anglickém jazyce

Lumped RF Model of MOSFET Gate Resistance for GHz+ Frequencies Enhancement of Compact BSIM MOSFET Model

Popis výsledku anglicky

This paper presents a lumped RF model of high voltage FET applicable for the frequency up to GHz range. Unlike the compact MOSFET model, the proposed solution contains not only parasitic capacitances and resistances but also parasitic inductance. The signal delay caused by relatively large device area including the parasitic resonance modeled by distributed RLC network is considered. The model is applicable in commercial SPICE simulators, e.g. Eldo, Spectre or HSpice.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

The Third International Conference on Advances in Information Processing and Communication Technology - IPCT 2015

ISBN

978-1-63248-077-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

75-79

Název nakladatele

Institute of Research Engineers and Doctor

Místo vydání

3905 State Street, Suite 7-31, Santa Barbara

Místo konání akce

Roma

Datum konání akce

10. 12. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—