Loss Factor of Alumina and AlN Thin Films Created by Reactive Magnetron Sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00306787" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00306787 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2016.7563224" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2016.7563224</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2016.7563224" target="_blank" >10.1109/ISSE.2016.7563224</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Loss Factor of Alumina and AlN Thin Films Created by Reactive Magnetron Sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

Thin Al2O3 and AlN films have been created by reactive magnetron sputtering; oxygen and nitrogen have been used as working gases. The capacitors have been formed by evaporation of a strip across the Al electrodes with the dielectric film. Loss factor has been examined in dependence on the pressure of the working gas, the flow rate of the working gas and power of the generator. Conditions for producing of the films with the minimum loss factor have been found

Název v anglickém jazyce

Loss Factor of Alumina and AlN Thin Films Created by Reactive Magnetron Sputtering

Popis výsledku anglicky

Thin Al2O3 and AlN films have been created by reactive magnetron sputtering; oxygen and nitrogen have been used as working gases. The capacitors have been formed by evaporation of a strip across the Al electrodes with the dielectric film. Loss factor has been examined in dependence on the pressure of the working gas, the flow rate of the working gas and power of the generator. Conditions for producing of the films with the minimum loss factor have been found

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Spring Seminar on Electronics Technology

ISBN

978-1-5090-1389-0

ISSN

2161-2536

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

378-381

Název nakladatele

IEEE Press

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Plzeň

Datum konání akce

18. 5. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000387089800074