Simulation of Epitaxially Grown Graphene on Step-Shaped SiC Surface
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F17%3A00320102" target="_blank" >RIV/68407700:21230/17:00320102 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simulation of Epitaxially Grown Graphene on Step-Shaped SiC Surface
Popis výsledku v původním jazyce
In this study we present calculation of molecular mechanic and electronic transport properties of epitaxially grown graphene on step-shaped SiC substrate. We simulated two types of structural arrangements. The first structure, simulated mainly for purposes of comparisson, is planar SiC with graphene bilayer. The second structure is step-shaped SiC with graphene monolayer. We analyzed effects of hydrogenization of the SiC surface and conducted a series of calculations adressing shape of the resulting graphene layers. Finally, we calculated transmission spectrum and I/V curve of resulting structures.
Název v anglickém jazyce
Simulation of Epitaxially Grown Graphene on Step-Shaped SiC Surface
Popis výsledku anglicky
In this study we present calculation of molecular mechanic and electronic transport properties of epitaxially grown graphene on step-shaped SiC substrate. We simulated two types of structural arrangements. The first structure, simulated mainly for purposes of comparisson, is planar SiC with graphene bilayer. The second structure is step-shaped SiC with graphene monolayer. We analyzed effects of hydrogenization of the SiC surface and conducted a series of calculations adressing shape of the resulting graphene layers. Finally, we calculated transmission spectrum and I/V curve of resulting structures.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 8th International Conference on Nanomaterials - Research and Application
ISBN
978-80-87294-71-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
110-115
Název nakladatele
Tanger
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
19. 11. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000410656100018