Ga2O3 Vertical Transistor Modeling and Analysis

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F25%3A00385972" target="_blank" >RIV/68407700:21230/25:00385972 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ga2O3 Vertical Transistor Modeling and Analysis

Popis výsledku v původním jazyce

Alpha-phase gallium oxide (α-Ga₂O₃) is a promising ultra-wide bandgap semiconductor with exceptional properties, making it ideal for high-power and high-temperature applications. This study models and analyzes vertical transistors based on α-Ga₂O₃ using Silvaco Atlas simulations. Results show stable operation at elevated temperatures, with slight increases in threshold voltage and decreases in drain current due to reduced electron mobility. Higher doping concentrations in the drift layer decrease the breakdown voltage. Calibrated DC characteristics showed a drain current of 1.97 A at a drain voltage of 30 V and a gate voltage of 11.5 V, with a threshold voltage of 6.12 V and a breakdown voltage of 86.7 V. These findings highlight the potential of α-Ga₂O₃ vertical transistors for high-power and high-temperature applications. Future work will optimize device structures and explore new fabrication techniques.

Název v anglickém jazyce

Ga2O3 Vertical Transistor Modeling and Analysis

Popis výsledku anglicky

Alpha-phase gallium oxide (α-Ga₂O₃) is a promising ultra-wide bandgap semiconductor with exceptional properties, making it ideal for high-power and high-temperature applications. This study models and analyzes vertical transistors based on α-Ga₂O₃ using Silvaco Atlas simulations. Results show stable operation at elevated temperatures, with slight increases in threshold voltage and decreases in drain current due to reduced electron mobility. Higher doping concentrations in the drift layer decrease the breakdown voltage. Calibrated DC characteristics showed a drain current of 1.97 A at a drain voltage of 30 V and a gate voltage of 11.5 V, with a threshold voltage of 6.12 V and a breakdown voltage of 86.7 V. These findings highlight the potential of α-Ga₂O₃ vertical transistors for high-power and high-temperature applications. Future work will optimize device structures and explore new fabrication techniques.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Student Scientific Conference POSTER – 29/2025

ISBN

978-80-01-07422-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Fakulta elektrotechnická

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

22. 5. 2025

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—