Určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti pomocí nové varianty obálkové metody

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F09%3A00164951" target="_blank" >RIV/68407700:21340/09:00164951 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61989100:27350/09:00021689

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti pomocí nové varianty obálkové metody

Popis výsledku v původním jazyce

Práce prezentuje metodu určení tloušťky tenké vrstvy z měření spektrální odrazivosti s využitím nové varianty obálkové metody. Byl nalezen lineární vztah mezi vlnovou délkou tečny spektrální odrazivosti k obálkové funkci a odpovídající tloušťkou tenké vrstvy pro daný interferenční řád v širokém spektrálním oboru. Tento lineární vztah umožňuje výpočet tloušťky vrstvy na základě známých spektrálních optických parametrů vrstvy a podložky. Metoda umožňuje výpočet tloušťky ze znalostí pouze malé části spektra v okolí jednoho extrému, jak je demonstrováno teoreticky a experimentálně na systému SiO2-Si. Výsledky jsou porovnány s hodnotami získanými algebraickou fitovací metodou.

Název v anglickém jazyce

Thin-Film Thickness Determination from a Spectral Reflectance Measurement by Using an Alternative Envelope Method

Popis výsledku anglicky

This paper deals with an alternative method to determine the thickness of a thin film on a substrate. A linear relation between the thin-film thickness and the wavelength of the reflectance spectrum tangent to the envelope function for specific interference order is revealed in a wide wavelength range. This relation enables the calculation of the thickness provided that the wavelength-dependent optical parameters of the thin film and the substrate are known. The methods allow to calculate the thicknessfrom the reflectance spectrum in a narrow range close to one extreme only as demonstrated both theoretically and experimentally for SiO2 thin-films on Si substrates. The results are discussed for two wavelength ranges and compared with those obtained bythe algebraic fitting method.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Jemná mechanika a optika

ISSN

0447-6441

e-ISSN

—

Svazek periodika

54

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—