InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F12%3A00212307" target="_blank" >RIV/68407700:21340/12:00212307 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://www.confer.cz/proceedings/nanocon/2012.pdf#page=204" target="_blank" >https://www.confer.cz/proceedings/nanocon/2012.pdf#page=204</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer

Popis výsledku v původním jazyce

We have prepared and studied InAs/GaAs quantum dots (QDs) by the Metalorganic Vapour Phase Epitaxy in Stranski-Krastanow self-organized growth mode at temperature 510°C and covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL). We found out that for higher temperature (510°C) the Sb incorporation into the SRL is decreased. Two explanations are suggested: first the higher strain on the apex of bigger QDs, second increased Sb surfacting on the growth surface. However, unincorporated surfacting Sb atoms also prevent QDs dissolution. Increased QD size together with decreased Sb incorporation helped us to obtain type I QD structure with long wavelength emission at 1400 nm.

Název v anglickém jazyce

InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer

Popis výsledku anglicky

We have prepared and studied InAs/GaAs quantum dots (QDs) by the Metalorganic Vapour Phase Epitaxy in Stranski-Krastanow self-organized growth mode at temperature 510°C and covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL). We found out that for higher temperature (510°C) the Sb incorporation into the SRL is decreased. Two explanations are suggested: first the higher strain on the apex of bigger QDs, second increased Sb surfacting on the growth surface. However, unincorporated surfacting Sb atoms also prevent QDs dissolution. Increased QD size together with decreased Sb incorporation helped us to obtain type I QD structure with long wavelength emission at 1400 nm.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

21001 - Nano-materials (production and properties)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2012, 4th International Conference

ISBN

978-80-87294-35-2

ISSN

2694-930X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

204-208

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

23. 10. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000333697100037