Imaging in nanoscale using laser-plasma sources of extreme ultraviolet (EUV)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21460%2F14%3A00309469" target="_blank" >RIV/68407700:21460/14:00309469 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-00696-3_43" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-00696-3_43</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-00696-3_43" target="_blank" >10.1007/978-3-319-00696-3_43</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Imaging in nanoscale using laser-plasma sources of extreme ultraviolet (EUV)
Popis výsledku v původním jazyce
New developments in nanoscience and nanotechnology require nanometer scale resolution imaging tools and techniques such as an extreme ultraviolet (EUV) and soft X-ray (SXR) microscopy, based on Fresnel zone plates. In this paper, we report on applications of a desk-top microscopy using a laser-plasma EUV source based on a gas-puff target for studies of morphology of thin silicon membranes coated with NaCl crystals and samples composed of ZnO nanofibers.
Název v anglickém jazyce
Imaging in nanoscale using laser-plasma sources of extreme ultraviolet (EUV)
Popis výsledku anglicky
New developments in nanoscience and nanotechnology require nanometer scale resolution imaging tools and techniques such as an extreme ultraviolet (EUV) and soft X-ray (SXR) microscopy, based on Fresnel zone plates. In this paper, we report on applications of a desk-top microscopy using a laser-plasma EUV source based on a gas-puff target for studies of morphology of thin silicon membranes coated with NaCl crystals and samples composed of ZnO nanofibers.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EE.2.3.20.0092" target="_blank" >EE.2.3.20.0092: Rozvoj výzkumného týmu BIO-OPT-XUV na FBMI ČVUT</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
X-Ray Lasers 2012
ISBN
978-3-319-00696-3
ISSN
0930-8989
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
269-276
Název nakladatele
Springer International Publishing
Místo vydání
Cham
Místo konání akce
Paris
Datum konání akce
11. 6. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—