Charakterizace hran 3D kremikoveho detektoru po Bump-Bondingu s ATLAS Pixel Readout Chipem
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F08%3A15152671" target="_blank" >RIV/68407700:21670/08:15152671 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Edge Characterization of 3D Silicon Sensors after Bump-Bonding with the ATLAS Pixel Readout Chip
Popis výsledku v původním jazyce
3D silicon sensors with electrodes penetrating the full substrate thickness, different electrode configurations and with active edges, where bump-bonded to the ATLAS pixel readout chip FE-I3 in 2006. Their characterization included electrical tests in laboratory, tests with beam and radioactive sources. Noise figures after bump bonding varied from 190 to 290 electrons, in agreement with the different electrode density of the three 3D configurations. This paper will reports beam results on the edge sensitivity, electrode response and efficiency at different angles of 3D sensors, fabricated at Stanford and bump-bonded to the ATLAS FE-I3 front end chip, before and after irradiation to 1015 high energy protons per cm2.
Název v anglickém jazyce
Edge Characterization of 3D Silicon Sensors after Bump-Bonding with the ATLAS Pixel Readout Chip
Popis výsledku anglicky
3D silicon sensors with electrodes penetrating the full substrate thickness, different electrode configurations and with active edges, where bump-bonded to the ATLAS pixel readout chip FE-I3 in 2006. Their characterization included electrical tests in laboratory, tests with beam and radioactive sources. Noise figures after bump bonding varied from 190 to 290 electrons, in agreement with the different electrode density of the three 3D configurations. This paper will reports beam results on the edge sensitivity, electrode response and efficiency at different angles of 3D sensors, fabricated at Stanford and bump-bonded to the ATLAS FE-I3 front end chip, before and after irradiation to 1015 high energy protons per cm2.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Conference Record of the 2008 IEEE NSS/MIC/RTSD
ISBN
978-1-4244-2715-4
ISSN
1082-3654
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
Omipress
Místo vydání
Wisconsin
Místo konání akce
Dresden
Datum konání akce
19. 10. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—