Single layer 3D tracking semiconductor detector
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F16%3A00321468" target="_blank" >RIV/68407700:21670/16:00321468 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect2=PTO1&Sect2=HITOFF&p=1&u=/netahtml/PTO/search-bool.html&r=1&f=G&l=50&d=PALL&RefSrch=yes&Query=PN/9297912" target="_blank" >http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect2=PTO1&Sect2=HITOFF&p=1&u=/netahtml/PTO/search-bool.html&r=1&f=G&l=50&d=PALL&RefSrch=yes&Query=PN/9297912</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Single layer 3D tracking semiconductor detector
Popis výsledku v původním jazyce
The invention relates to a pixel detector, comprising a semiconductor sensor layer, in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y plane and has a thickness extending in Z-direction. ### The patent is exploited: at least one license has been sold. The patent is exploited by its owner.
Název v anglickém jazyce
Single layer 3D tracking semiconductor detector
Popis výsledku anglicky
The invention relates to a pixel detector, comprising a semiconductor sensor layer, in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y plane and has a thickness extending in Z-direction. ### The patent is exploited: at least one license has been sold. The patent is exploited by its owner.
Klasifikace
Druh
P - Patent
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
US 9,297,912 B2
Vydavatel
US001 -
Název vydavatele
United States Patent and Trademark Office (USPTO)
Místo vydání
Alexandria
Stát vydání
US - Spojené státy americké
Datum přijetí
29. 3. 2016
Název vlastníka
CERN-European Organisation for Nuclear Research;Friedrich-Alexander-Universitat Erlange-Nurnberg;Czech technical University in Prague
Způsob využití
B - Výsledek je využíván orgány státní nebo veřejné správy
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence