Slabé vazby a přerušené vazby vytvořené UV v polysilanech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F06%3A63504653" target="_blank" >RIV/70883521:28110/06:63504653 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389013:_____/06:00095983

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

UV created weak and dangling bonds in aryl-substituted polysilylenes

Popis výsledku v původním jazyce

The susceptibility of aryl-substituted polysilylanes to photodegradation by UV radiation is examined on the prototypical organosilicon polymers, poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) and poly[(biphenyl-4-yl)methylsilylene] (PBMSi). The main purpose of this work is to study photoluminescence (PL) after UV major degradation for two different degradation wavelengths 266 and 355 nm, predominantly in long wave range 400-600 nm, studying the disorder, dangling bonds (DB) and weak bonds (WB) created by the degradation process. We claim that the PL of the 500-600 nm band is related to the existence of WB on Si chain. Increase of the normalized PL 520-540 nm band after UV degradation can be then evaluated as the increase of the density of states (DOS) of WB. Theefficiency of the WB creation in PMPSi is greater for 266 nm irradiation, supporting the notion of the suppressed exciton transport compared to the less energetical photon of 355 nm, where the WB creation is lowered due to the exciton mi

Název v anglickém jazyce

UV created weak and dangling bonds in aryl-substituted polysilylenes

Popis výsledku anglicky

The susceptibility of aryl-substituted polysilylanes to photodegradation by UV radiation is examined on the prototypical organosilicon polymers, poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) and poly[(biphenyl-4-yl)methylsilylene] (PBMSi). The main purpose of this work is to study photoluminescence (PL) after UV major degradation for two different degradation wavelengths 266 and 355 nm, predominantly in long wave range 400-600 nm, studying the disorder, dangling bonds (DB) and weak bonds (WB) created by the degradation process. We claim that the PL of the 500-600 nm band is related to the existence of WB on Si chain. Increase of the normalized PL 520-540 nm band after UV degradation can be then evaluated as the increase of the density of states (DOS) of WB. Theefficiency of the WB creation in PMPSi is greater for 266 nm irradiation, supporting the notion of the suppressed exciton transport compared to the less energetical photon of 355 nm, where the WB creation is lowered due to the exciton mi

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Non-crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

352

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1679-1682

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—