Kinetika růstu tlustých vrstev InP
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105913" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105913 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth kinetics of thick InP layers
Popis výsledku v původním jazyce
Applicability of the Burton-Cabrera-Frank model of crystal growth is limited in the case of LPE preparation of thick semiconductor layers due to volume diffusion of constituent atoms. This phenomenon can be accounted for by introducing negative growth-rate dependent correction to supersaturation. The resulting implicit nonlinear problem is solved using the technique of causal diagrams. Theoretical predictions are confronted with experimental data on the growth of thick InP and InP:Nd layers.
Název v anglickém jazyce
Growth kinetics of thick InP layers
Popis výsledku anglicky
Applicability of the Burton-Cabrera-Frank model of crystal growth is limited in the case of LPE preparation of thick semiconductor layers due to volume diffusion of constituent atoms. This phenomenon can be accounted for by introducing negative growth-rate dependent correction to supersaturation. The resulting implicit nonlinear problem is solved using the technique of causal diagrams. Theoretical predictions are confronted with experimental data on the growth of thick InP and InP:Nd layers.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
0-7803-8535-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
65-69
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
17. 10. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—